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颅内压监护仪知识了解
文章出处:西安百德仪器设备      责任编辑:admin      发布于:2019-03-26 22:05

颅内压监护仪:
颅内压监护仪是用来连续测量人体颅内压(ICP)的医用设备,可与脑硬膜外、脑硬膜下、脑室内光纤探头相配,对脑硬膜内、外及婴儿囟门进行颅内压力监测。通常分为无创颅内压监护仪和有创两种颅内压监护仪,又分为单参数颅内压监护仪和多参数颅内压监护仪。
基本结构:
有创颅内压监护仪通常由压力传感器、辅助生理参数传感器、主机组成。用于连续测量颅脑内压力。
无创颅内压监护仪通常由主机、供电电源、显示器、一个或多个生理参数功能模块和报警系统组成  。
工作原理编辑
光纤探头以光传感信息,用光纤作为传输信息媒介,监护时把探头感受到的患者颅内压转换为差动光信号传递给监护仪,监护仪经光电转换,信号反馈,测量后将患者颅内压在监护仪面板上加以显示。
分类:
有创性ICP监护
脑室内导管监测法
侧脑室前角穿刺后,将探头安置在侧脑室前角内,另一端经三通管连接监护仪和脑室引流瓶,此法是临床上最常用的方法,较其他方法准确可靠,被称为ICP监护的“金标准”法,但此法因穿刺较深易损伤脑组织,感染率达6%~11%,高于脑实质内置管法的1.7%~4%,ICP急剧增高时脑室发生变窄或移位,穿刺和置管的难度则相应增大。
脑实质内光纤传感器监测法
将一条带有传感器的细纤维光缆置入脑实质内进行监护。该方法降低了感染和颅内出血等风险,但准确性低于脑室内导管法,也不能具备引流脑脊液的作用。
硬膜外和硬膜下测压法
一般于侧脑室前角穿刺部位,切开头皮颅骨钻孔,将带有传感器的探头置入颅骨内板与硬脑膜之间或硬脑膜与软脑膜之间,这两种方法探头安置方便,感染风险下降,损伤较轻,但易引起硬膜反应性增厚,因此降低了敏感性,且准确性相对较差。
无创性ICP监护
由于创伤性ICP监护法安置探头需开颅,操作复杂,损伤大,且易感染,从上世纪八十年代起,无创性测压理论逐渐进入科学家们的视野,现已成为研究的一大热点和难点。报道较多的无创性监测法如下。
经颅多普勒法
搏动指数(gosling pulsatility index,PI)=(收缩峰血流速度-舒张期末血流速度)/平均速度,ICP增高时脑底大动脉舒张期血流速度减少,收缩峰变尖,PI增加。基于ICP与PI这种相关性,经颅多普勒通过监测脑底大动脉血流速度来间接反映ICP变化。但由于脑血管活性易受其他多种因素影响,且不同个体差异较大,PI与ICP之间的相关性缺乏特异性,故TCD法还不能成为可靠、有效的ICP监测手段。
经前囟测压法(AFP)
AFP法仅适用于突出于骨缘的前囟,但下压外突的前囟可增高ICP,对患儿造成不利。
闪光视觉诱发电位法(f-vep)
1984年YorkD发现视觉诱发电位的第二负向波(N2波)的延迟时间与颅内压具有直接线性相关关系,通过测量N2波的延迟时间,求得颅内压值,2001年Desch证实了此规律,国内也有文献支持f-vep监护法的敏感性和准确性。但此方法也具有局限性:易受脑代谢因素如PaCO2、PO2、pH及BP等影响;严重视力障碍、眼底出血等眼部疾病,或颅内占位压迫、破坏视通路时,均对f-vep存在影响;部分深昏迷或脑死亡患者f-vep消失  。
适应证:
临床适用于脑积水、脑水肿、颅内出血 、脑室膜炎、结核性脑膜炎、颅内占位性病变、脑手术后或脑外伤、脑脊液分泌过多循环或吸收障碍、颅内高压时作控制脑脊液引流减压、颅内高压危象或脑积水等做颅内减压、脑室膜炎需局部注药治疗等情况。
国内外大多数学者主张对重型颅脑损伤伴昏迷患者行颅内压监护,而对轻、中型者要根据头部CT有无异常而决定。各个学者提出的具体标准虽有不同,但相差不大。Narayan提出,入院时CT扫描未见血肿,但有强直体位、血压低于90mmHg或年龄40岁以上应常规监测,有利于早期发现迟发性血肿。在重型颅脑损伤病人中,可对下述四项存在两项者,无论CT扫描有无异常,均应进行颅内压监测。另外有休克、低氧血症、高碳酸血症等因素可引起颅内压增高者可行颅内压监测。
GCS评分在8分以下;
头颅CT扫描有异常发现;
颅内血肿清除术后;
年龄在40岁以上,动脉收缩压小于90mmHg。
判断预后:
ICP>40mmHg是脑功能损害的危险阈限在国内外得到认可。一般认为:ICP低于40mmHg时预后良好,ICP持续高于40mmHg,病死率可高达90%,ICP持续>50~60mmHg时,其病死率几乎接近100%。我们可以得出为提高预后应力争将颅内压控制在40mmHg以下。
注意事项:
颅内压是指颅内压力与大气压之间的差别,因而在测压前首先要将测压装置的压力调到与大气压相等,即调零,并将这一数据作一记录,以保障监护仪测压的精确度。
电子传感器受温度影响可产生零位漂移,应用后常需多次调零。
采用颅外传感器测压法,传感器需与和脑室保持在同一水平,有学者提出以耳廓上沿为标志,注意勿压脑室引流管及三通管。
保持伤口处清洁干燥,1~2d换药一次,引流管接头处每日消毒1~2次。
监护时间以3~4d为宜,时间过长增加感染机会,个别监护时间较长者应每隔数日及停止监护前送脑脊液培养及常规化验。
若出现颅内感染,应立即停止监护。
监护过程中,及时记录引起颅内压变化的因素。尽量避免引起颅内压变化的非颅内因素,以保证颅内压监护的可靠性。
如呼吸道梗阻应及时清除,必要时行气管切开;躁动者应给予适量的镇静剂;高热者则需积极降温;行脑脊液引流期间定期关闭引流管测压;体位宜选头高脚低,以利颅内静脉回流。
颅内压力过高及监护时间过长可引发脑脊液漏,此时应首先封堵漏口,再查明原因,采取相应处理。
据文献报道出血率<15%,为避免出血,置管过程中勿反复穿刺,置管后应避免脑脊液引流过快或将颅内压降的过低 。
参考资料
1.  医疗器械分类目录  .国家食品药品监督管理总局[引用日期2019-02-21]
2.  魏盈胜,江荣才.颅内压监护的若干问题[J].临床神经外科杂志,2012,(2):120-122.http://www.dipinit.com/detail/323.html

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